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超高速メモリ実現に一歩、ピコ秒スケールのパルスで巨大な磁化応答を達成　東京大学

大学ジャーナルオンライン編集部

　半導体中に埋め込まれた強磁性ナノ微粒子に超短テラヘルツパルス光を照射することで、飽和磁化（磁化の最大値）の約20％という巨大な磁化変調を得ることに成功したと、東京大学のグループが発表した。

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